突破SiC生长核心材料：TaC碳化钽涂层

突破SiC生长核心材料——第三代半导体——YMUS波

TaC陶瓷熔点高达3880℃，具有高硬度（莫氏硬度9～10 ）、较大的导热系数（22W·m-1·K−1）、较大的抗弯强度（340～400MPa），以及较小的热膨胀系数（6.6×10−6K−1），并展现出优良的热化学稳定性和优异的物理性能，与石墨及C/C复合材料具有良好的化学相容性和力学相容性，因此TaC涂层被广泛应用于航空航天热防护、单晶生长、能源电子，以及医疗器械等领域。TaC涂层石墨比裸石墨或SiC涂层石墨具有更好的耐化学腐蚀性能，可在2600°高温下稳定使用，与众多金属元素不反应，是第三代半导体单晶生长和晶圆刻蚀场景中性能最好的涂层，能显著提高工艺过程中对温度和杂质的控制，制备高质量的碳化硅晶圆和相关外延片。尤其适用于MOCVD设备生长GaN或AlN单晶和PVT设备生长SiC单晶，所生长的单晶质量得到明显提高。

       利用喷涂方式，将碳化钽液体粘附在硬质合金基板上。超声波高频震动的作用下，在液体颗粒内部产生分散，将液体颗粒被精密雾化。经过多次喷涂、烘干、煅烧等工艺步骤，最后形成具有一定厚度、质量、结构和组分的碳化钽涂层。最终通过检测，测试和分析，确认碳化钽涂层是否符合设计要求或工艺指标，并评估碳化钽涂层的性能和应用性能。

       YMUS超声波喷涂制备碳化钽涂层具有生产效率高、成本低、操作简便等优点，同时制备的碳化钽涂层具有高密度、高硬度和耐磨性等优势，对于提高硬质合金基板的性能和表面质量等具有重要作用。