随着大规模集成电路的发展，晶圆清洗的重要性越来越突出，对精度的要求也越来越高。当工艺节点为35nm时，参数要求已经很高，硅片表面颗粒密度和COP应小于0.1 /平方厘米。目前先进的工艺节点在5nm以下，这对晶圆的清洗参数要求更高。
在晶圆加工的各个环节中，清洗工艺是必不可少的，它主要用于清除晶圆加工过程中上层遗留的超细颗粒污染、金属残基、有机残基、掩膜和光刻胶残基，也可以根据需要对硅氧化膜、氮化硅薄膜等材料或金属进行湿法蚀刻，使晶圆表面条件为下一道工序做好准备。
根据介质的不同，半导体清洗技术主要分为干洗和兆声波清洗两大类。目前，兆声波清洗是主流，占清洗步骤总数的90%以上。根据不同的工艺要求，兆声清洗采用特定的化学液体和去离子水对晶圆表面进行不损伤的清洁，以去除晶圆制造过程中的杂质，通常还会配合波、加热、真空等技术手段。干洗是指不使用化学溶剂，可以用相对单一的污染物进行清洗的清洗技术。
中国半导体市场广大，清洗设备有很好的发展前景。上海央米兆声波清洗设备有全自动槽式清洗设备、高频兆声清洗机、兆声清洗喷头等。我们将提供精细化的清洗技术，有效的应用的您的行业领域。
