碳化硅衬底最核心环节——晶体生长——YMUS波
碳化硅材料性能突破硅基极限， 相较于传统硅基器件，碳化硅功率器件的功率密度、开关效率和器件损耗上都有大幅度优化。碳化硅产品生产流程从材料端衬底与外延的制备开始，经历芯片的设计与制造， 再到模块的封装后，最终流向下游应用市场。从成本拆分来看，衬底成本占比达 46% ，是产业链中最为核心的环节。目前衬底制备环节中，晶体生长环节，受碳化硅长晶速度慢，黑箱操作以及碳化硅晶体结构类型众多影响，导致碳化硅衬底产量小，良率低；在切割研磨抛光环节， 由于碳化硅是高硬度的脆性材料， 切磨抛的加工难度增加，对碳化硅晶柱的材料利用率较低，产出晶片数量较少。上述难点造成了碳化硅目前制备成本较高，成为限制产业发展的瓶颈。未来随着衬底尺寸从 6 寸向8 寸提升，持续优化良率以及相关生产切割、 抛光工艺的的升级，碳化硅材料成本有望显著下降，将有效降低整体器件价格， 提升下游客户的替代意愿，拉升碳化硅功率器件的市场渗透率。
1、提高晶体生长环节
YMUS喷涂技术在晶体生长中，经过精确计算和调节，能够对晶体生长过程中的温度、溶液浓度和流速等参数进行精确控制，以确保生长的晶体均匀性和连续性。另外，超声波喷涂技术能够将晶体生长区域内的各种溶质均匀混合，从而能够生长出更加均匀、更加规则的晶体。
2、提高切磨抛环节
YMUS超声波分散供液技术能够把各种粉末、纳米粒子、氧化物等颗粒均匀加到液体中进行混合，形成具有更高物理化学性质的混合液。分散效率高、速度快，能够将微小颗粒混合到亚微米级别获得更稳定的表面质量。 在晶圆切磨抛制程中，超声波分散技术有效地将硅金属颗粒分散到其溶液中，使液体分布均匀，在成型切割等加工工序中增强了性能特质、提高了工艺稳定性。
YMUS-ZS400 全自动、可编程的独立系统，具有协调的XYZ运动控制，使用基于Windows的软件和带有轨迹球的用户友好型示教器，多功能中到大批量或中试规模生产薄膜涂层。可配置标准输送机，用于在线涂层解决方案。
YMUS-ZS400 超声喷涂机
