光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、x射线等照射或辐射使溶解度发生变化的耐腐蚀薄膜材料，主要由光刻胶树脂、敏化剂(光引发剂+光敏剂+产生光酸的剂)、单体、溶剂等助剂组成。由于应用场景不同，不同用途的光刻胶在曝光光源、制造工艺和成膜特性性能要求、对材料的溶解度和耐蚀性以及照相性能要求不同，不同的材料比会有很大的变化，其中光刻胶树脂是光刻胶的主要成分，成本占50%。光刻胶是集成电路中极为重要的材料。光刻胶作为一种图形介质，是芯片光刻工艺中不可缺少的关键材料。
正性光刻胶和负性光刻胶的区别在于曝光反应:曝光后，正性光刻胶的曝光部分溶解在显影液中，而未曝光的部分在显影后仍保留。正性光刻胶分辨率和对比度高，比较适合小图形，所以高端光刻胶以正性为主。负极光刻胶则相反，曝光后形成交联结构，变硬后留在基板上形成图案，而未曝光的部分则会溶解。负性光刻胶具有较好的粘度和耐腐蚀性。由于其光敏性较好，可以添加较少的光敏剂，成本较低，更适用于低成本、低质量的芯片。在半导体光刻胶市场上，正面胶占绝大多数，而反面胶占的比例很低。
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喷涂系统采用先进的喷涂技术，精确控制流量、涂层速度和沉积。低速喷涂成型将雾化喷涂定义为一种精确的、可控的模式，在生产非常薄且均匀的涂层时避免过度喷涂。使用超声波技术喷涂已被证明是一种可靠和有效的方法来沉积在三维微结构上的光刻胶，从而减少设备由于金属过度暴露在蚀刻剂中而导致的故障。
