除了基础基板材料的不断发展和改进，晶圆制造材料的要求也越来越高，包括光刻胶配套件、湿法蚀刻和湿法工艺试剂。从等技术趋势来看，蚀刻试剂对芯片纯度和洁净度的要求向纳米级集成电路加工超洁净方向发展，高纯度试剂发展的集成电路线宽线间距越小，对纯度和洁净度的要求越高，常用在晶圆制造纳米级电路中PPB级的化学纯度要求。
与化学试剂类似，各种电子气体也在向更高纯度发展。以薄膜沉积为例，在28纳米以上的工艺中采用液态化学材料，当到10纳米技术演进时，不仅对材料的金属杂质控制更加严格，电子级要求纯度更高，从原来的液态材料变为固态材料，而且需要对固态材料进行气化，并能实现片状均匀沉积成型的薄膜。
由于大多数配方化学品是混合物，它们的有效性和可靠性通常只能通过应用手段来评估，因此测试时间通常很长。对化学品的新型要求主要是基于传统工艺的升级和新工艺的新要求，如能够处理更细的线宽和线距，提高生产效率在相同的性能，并完成电镀铜在更深和更小的孔填充。
在整个半导体行业快速发展的今天，技术进步和技术创新推动着原有材料的改进和新材料的出现。当然，在其发展的同时，也将面临新应用场景的复杂性、新技术可靠性的验证、与其他制造工艺上下游的兼容性等挑战。这一过程需要材料厂家、设备厂家、半导体厂家的不断磨合，问题和挑战必须单独解决，从而不断提高材料和产品的性能，实现性价比最优的封装工艺。
