晶圆薄膜沉积——半导体——上海央米波喷涂
薄膜沉积是晶圆加工中的关键流程之一，主要分为物理气相沉积PVD和化学气相沉积CVD两类。物理气相沉积的过程中不发生化学反应，只发生物质的相变等物理变化，如蒸镀过程是将固态蒸镀源转换为气态，再在目标表面形成固态膜的过程。而化学气相沉积CVD则通过化学反应进行，将反应源以气体形式通入反应腔中，经过与其他外部反应物或与基板进行化学反应形成目标生成物沉积于基板上。
晶圆加工流程
光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、喷涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。
众所周知，芯片制造少不了各种设备，比如光刻机，刻蚀机、、等离子注入机、清洗机等等，一条晶圆生产线，需要的设备上百种，设备采购成本占晶圆建设成本的60%+。随着芯片热，大量企业造芯，而原有晶圆厂则在扩产，需要大量半导体设备。
半导体晶圆
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