光刻胶是半导体八大核心材料之一。光刻胶占半导体晶圆制造材料价值的5%，光刻胶辅助材料占7%，合计占12%。光刻胶及辅助材料是仅次于硅片、电子特种气体和光掩模的第四大半导体材料。概述半导体光刻胶的核心材料及其工业现状。
1、光刻胶定义
光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂组成的对光敏感的混合液体。
敏化剂(光引发剂)：它是光刻胶的关键组成部分，对光刻胶的灵敏度和分辨力起着决定性作用。
光敏树脂(聚合剂)：用于将光刻胶中的不同材料聚合在一起，构成光刻胶的骨架，决定光刻胶的硬度、柔韧性、附着力等基本性能。
溶剂：是光刻胶中最大的组分，其目的是使光刻胶处于液态，但溶剂本身对光刻胶的化学性质几乎没有影响。
助剂：通常为专有化合物，主要用于改变光刻胶的特定化学性质
2、适用领域
集成电路、平板显示器和半导体分离器件的制造等。
3、工艺流程
在光刻工艺中，用作防腐蚀涂层材料。当半导体材料在表面上加工时，如果使用适当的选择性光刻胶，就可以在表面上获得所需的图像。根据光刻胶所形成的图像，分为正性和负性两大类。在光刻胶工艺中，涂层曝光显影后，曝光部分溶解，未曝光部分留下。涂层材料为正极光刻胶。如果暴露的部分被保留，而未暴露的部分被溶解，涂层材料就是负光刻胶。根据曝光光源和辐射源的不同，分为紫外光刻胶(包括紫外正负光刻胶)、深紫外光刻胶、x射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等精细图形处理。光刻胶的生产工艺比较复杂，品种规格较多。在电子工业中，用于集成电路制造的光刻胶有严格的要求。
上海央米波镀膜系统，应用于燃料电池交换膜、薄膜太阳能电池、钙钛矿、微电子、半导体、 纳米新材料、玻璃镀膜、 生物医疗、纺织品等领域。
系统采用先进的喷涂技术，精确控制流量、涂层速度和沉积。低速喷涂成型将雾化喷涂定义为一种精确的、可控的模式，在生产非常薄且均匀的涂层时避免过度喷涂。使用超声波技术喷涂已被证明是一种可靠和有效的方法来沉积在3D微结构上的光刻胶，从而减少设备由于金属过度暴露在蚀刻剂中而导致的故障。
